一、設(shè)備概況1.1設(shè)備用途：晶體材料生長(zhǎng)設(shè)備。1.2VGF、HB、HGF、VB產(chǎn)品特點(diǎn)：1.2.1用于GaAs等化合物晶體的生長(zhǎng)；1.2.2按結(jié)構(gòu)形式:垂直生長(zhǎng),水平生長(zhǎng)；1.2.3按生長(zhǎng)方式:梯度生長(zhǎng)及移動(dòng)生長(zhǎng)；1.3晶體生長(zhǎng)尺寸：2-6寸1.4設(shè)備分類:HB、HGF、VGF、VB 二、主要技術(shù)參數(shù)提供專用的Ⅲ-Ⅴ,Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體的晶體薄膜生長(zhǎng)制成專用設(shè)備,以滿足化合物半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)、研
一、設(shè)備概況
1.1設(shè)備用途：晶體材料生長(zhǎng)設(shè)備。
1.2 VGF 、HB 、HGF 、VB產(chǎn)品特點(diǎn)：
1.2.1用于GaAs等化合物晶體的生長(zhǎng)；
1.2.2按結(jié)構(gòu)形式:垂直生長(zhǎng),水平生長(zhǎng)；
1.2.3按生長(zhǎng)方式:梯度生長(zhǎng)及移動(dòng)生長(zhǎng) ；
1.3晶體生長(zhǎng)尺寸：2-6寸
1.4設(shè)備分類:HB 、HGF 、VGF 、VB
二、主要技術(shù)參數(shù)
提供專用的Ⅲ-Ⅴ,Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體的晶體薄膜生長(zhǎng)制成專用設(shè)備,以滿足化合物半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)、研發(fā)工藝。
結(jié)構(gòu)形式 | 單管水平式，加熱爐體可左右移動(dòng) |
適合晶體（可定制） | 2~4寸 |
爐體有效加熱長(zhǎng)度 | 1600mm |
最高工作溫度 | 1300℃ |
恒溫區(qū)精度（靜態(tài)閉管） | ±0.5℃ |
升溫速率 | 斜變升溫速率可控在0~15℃/min |
降溫速率 | 0~5℃/min |
供電電源 | 三相五線~380V±10% ,50Hz |